化学气相沉积法（CVD）是目前获得大面积、高质量、层数可控的石墨烯的主要方法，由于Cu极低的溶碳率，以Cu为基体的石墨烯CVD法已经发展成迄今为止最有前景的大面积单层石墨烯合成方法。但是如何将CVD法石墨烯高质量、无损伤的转移到所需要的基底上是CVD法石墨烯大规模应用的关键。已经报道的CVD法石墨烯转移方法有：基体蚀刻法、roll-to-roll转移技术、电化学转移技术、干法转移技术、机械剥离技术。所有上述方法均需用到聚合物材料作为过渡材料，因此不可避免会造成石墨烯的损伤和污染。

      最近，英国科学家报道了一种不借助任何聚合物实现石墨烯无损伤转移的新方法，如下图所示。首先将石墨烯/Cu基底漂浮于蚀刻剂上，然后加入正己烷，使Cu基底在蚀刻剂和正己烷的界面处被刻蚀掉。然后用Si或者SiO2将石墨烯转移到水和正己烷的界面处，清洗掉蚀刻剂。最后用目标基底将石墨烯取出，室温干燥即可。